NCEP060N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和QG组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP060N10
- 商品编号
- C2686660
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.936克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (Qg) 极低,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 100A
- RDS(ON) = 5.6mΩ,典型值(TO - 220),VGS = 10V
- RDS(ON) = 5.4mΩ,典型值(TO - 263),VGS = 10V
- 出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达 175 °C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行 UIS 测试!
- 100% 进行 ΔVds 测试!
应用领域
-DC/DC 转换器-适用于高频开关和同步整流
