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NCEP055N10

NCEP055N10

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商品型号
NCEP055N10
商品编号
C2686662
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.712克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
输入电容(Ciss)3.85nF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)410pF

商品概述

该系列器件采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 110A
  • RDS(ON) = 5.4 mΩ,典型值(TO - 220),@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 5.2 mΩ,典型值(TO - 263),@ VGS = 10V
  • 出色的栅极电荷 × RDS(ON) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻 RDS(ON)
  • 175 °C 工作温度
  • 无铅引脚镀层

应用领域

-DC/DC 转换器-非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF