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NCEP018N85LL

1个N沟道 耐压:85V 电流:320A

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描述
该系列器件采用超级沟槽II技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qd组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件适用于高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP018N85LL
商品编号
C2686652
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
1.776克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)85V
连续漏极电流(Id)320A
导通电阻(RDS(on))1.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)380W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
输入电容(Ciss)14.5nF
反向传输电容(Crss)105pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

该系列器件采用了超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 85V,ID = 320A
  • RDS(ON) = 1.3mΩ(典型值,VGS = 10V 时)
  • 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻 RDS(on)
  • 工作温度达 175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了单脉冲雪崩耐量测试!
  • 100% 进行了 ΔVds 测试!

应用领域

  • DC/DC 转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF