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NCEP02T10T
1个N沟道 耐压:200V 电流:100A
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- 描述
- NCEP02T10T采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP02T10T
- 商品编号
- C2686625
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCEP0120Q采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 20A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 36 mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷×漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数 - FOM）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度150°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了UIS测试！
- 100%进行了ΔVds测试！
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流