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NCEP028N85D
1个N沟道 耐压:85V 电流:200A
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- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽 II 技术,经过独特优化,可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件适用于高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP028N85D
- 商品编号
- C2686641
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.228克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.68nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 85V，漏极电流（ID） = 300A
- 栅源电压（VGS） = 10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)）典型值为 1.8 mΩ（TO - 220 封装）
- 栅源电压（VGS） = 10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)）典型值为 1.6 mΩ（TO - 263 封装）
- 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（品质因数 FOM）
- 极低的导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度可达 175°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了非钳位感性负载开关（UIS）测试！
- 100% 进行了 ΔVds 测试！
应用领域
- DC/DC 转换器
- 非常适合高频开关和同步整流应用