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NCEP025N30G实物图
  • NCEP025N30G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP025N30G

N沟道,电流:85A,耐压:30V

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商品型号
NCEP025N30G
商品编号
C2686636
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)95A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)80W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)40.5nC@10V
输入电容(Ciss)2.4nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

NCEP0225G采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 30 V,ID = 85 A
  • RDS(ON) = 2.3 m Ω(典型值),VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 3.8 m Ω(典型值),VGS = 4.5 V
  • 出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度 150 °C
  • 无铅引脚镀层,100% 进行 UIS 测试!100% 进行 \Delta V ds 测试!

应用领域

  • DC/DC 转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF