NCEP025N30G
N沟道,电流:85A,耐压:30V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP025N30G
- 商品编号
- C2686636
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCEP0225G采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 200V，漏极电流（ID） = 25A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 33mΩ（典型值）
- 栅极电荷与漏源导通电阻乘积（FOM）优异
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度150°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
- 100%进行ΔVds测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流