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NCEP028N85
1个N沟道 耐压:85V 电流:200A
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- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽二代技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(on)和栅极电荷Qg组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP028N85
- 商品编号
- C2686639
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.472nF |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，此技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- VDS = 85V,ID = 200A
- VGS = 10V 时,RDS(ON) = 2.55mΩ(典型值,TO - 220 封装)
- VGS = 10V 时,RDS(ON) = 2.4mΩ(典型值,TO - 263 封装)
- 出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度达 175℃
- 无铅引脚镀层
- 100% 经过单脉冲雪崩耐量(UIS)测试!
- 100% 经过 \Delta Vds 测试!
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 非常适合高频开关和同步整流