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NCEP035N60AG
1个N沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 描述
- 使用超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 QG 的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件适用于高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP035N60AG
- 商品编号
- C2686637
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 110A
- 在 VGS = 10V 时,RDS(ON) = 2.8mΩ(典型值)
- 在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 3.5mΩ(典型值)
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度 150℃
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行非钳位感性开关(UIS)测试!
- 100% 进行ΔVds测试!
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 非常适合高频开关和同步整流