NCEP85T30LL
N沟道,电流:330A,耐压:85V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP85T30LL
- 商品编号
- C2686597
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF |
商品概述
NCEP0218K采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 200V，漏极电流（ID） = 18A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 145 mΩ（典型值）
- 栅极电荷与漏源导通电阻乘积（FOM）表现出色
- 漏源导通电阻（RDS(on)）极低
- 工作温度可达175°C
- 引脚采用无铅电镀
应用领域
-LED背光-适用于高频开关和同步整流