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NCEP0218K
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- 使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP0218K
- 商品编号
- C2686618
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 483pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
NCEP0225F采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 200V，漏极电流（ID） = 25A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 40 mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷与漏源导通电阻乘积（FOM）
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层
应用领域
-LED背光-适用于高频开关和同步整流