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NCEP15T14LL实物图
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NCEP15T14LL

1个N沟道 耐压:150V 电流:170A

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描述
该系列器件采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品型号
NCEP15T14LL
商品编号
C2686615
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
1.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))5.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)380W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)104nC@10V
输入电容(Ciss)7.15nF
反向传输电容(Crss)31pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)890pF

数据手册PDF

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