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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP01T25T

N沟道,电流:250A,耐压:100V

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商品型号
NCEP01T25T
商品编号
C2686606
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)250A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)400W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)208nC@10V
输入电容(Ciss)15.7nF@50V
反向传输电容(Crss)101pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

该系列器件采用超级沟槽技术,此技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(Qg)组合,传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 40V,漏极电流(ID) = 250A
  • 漏源导通电阻(RDS(ON)) = 1.2mΩ,典型值,栅源电压(VGS) = 10V 时
  • 出色的栅极电荷 × 漏源导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)
  • 极低的导通电阻(RDS(on))
  • 工作温度可达 175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试!
  • 100% 进行了 ΔVds 测试!

应用领域

  • DC/DC 转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流应用

数据手册PDF