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NCEP15T14T
1个N沟道 耐压:150V 电流:140A
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- 描述
- NCEP15T14T采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP15T14T
- 商品编号
- C2686614
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.923333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 890pF |
商品概述
NCEP60T20LL采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 300A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 1.2mΩ（典型值）
- 栅极电荷（Qg）和漏源导通电阻（RDS(on)）的乘积表现出色
- 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 工作温度可达175°C
- 无铅引脚镀层
- 经过100%单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
应用领域
-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流