我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
NCEP048N72实物图
  • NCEP048N72商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP048N72

N沟道,电流:110A,耐压:72V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
商品型号
NCEP048N72
商品编号
C2686594
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.712克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)72V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))4.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)155W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)48.8nC@10V
输入电容(Ciss)3.2nF@35V
反向传输电容(Crss)18pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

NCE60P82A采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON),且栅极电荷低。该器件非常适合大电流负载应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -82A
  • 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 13 mΩ
  • 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 16 mΩ
  • 高密度单元设计,实现极低的导通电阻Rdson
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 出色的封装,散热性能良好

应用领域

  • 负载开关

数据手册PDF