温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCEP40T17AD
N沟道,电流:170A,耐压:40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP40T17AD
- 商品编号
- C2686588
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.67nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.55nF |
商品概述
NCE60P82AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -82A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 13 mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 16 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 出色的封装，散热性能优异
应用领域
-负载开关