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NCE60P45K
1个P沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 描述
- NCE60P45K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P45K
- 商品编号
- C2686561
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.522克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.049nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112.7pF |
商品概述
ST3426是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- VDS = -60V, ID = -45A
- RDS(ON) < 35 m Ω @ VGS = -10 V
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源