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NCE40P20Q
1个P沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于负载开关或电源管理。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40P20Q
- 商品编号
- C2686564
- 商品封装
- DFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
NCE1205采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 12V，ID = 5A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 32mΩ
- 当VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 42mΩ
- 当VGS = 1.8V时，RDS(ON) < 80mΩ
- P沟道
- VDS = -12V，ID = -5A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 74mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 110mΩ
- 当VGS = -1.8V时，RDS(ON) < 220mΩ
- 便携式设备的负载开关