NCE60P82A
P沟道增强型功率MOSFET,电流:82A,耐压:60V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P82A
- 商品编号
- C2686572
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.712克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.604nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NCE4503S采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。SOP - 8封装是所有商业工业表面贴装应用的普遍首选，适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 10A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 13.5mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -9.1A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护-负载开关