NCE40P40D
P沟道增强型功率MOSFET,电流:40A,耐压:40V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40P40D
- 商品编号
- C2686565
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.96nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NCE60ND18G采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -40V, ID = -40A
- RDS(ON) < 14 m Ω @ VGS = -10 V
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源