温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE0125AK
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0125AK
- 商品编号
- C2686563
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.522克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@3V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE60ND45G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100V, ID = 25A
- RDS(ON) < 35 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:28mΩ)
- RDS(ON)< 38 m Ω@ VGS=3 V (典型值:30 m Ω )
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计
- 经过全面特性表征的雪崩电压和电流
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和均匀性
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源