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NCE0125AK
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0125AK
- 商品编号
- C2686563
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.522克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@3V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 18.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE60ND45G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 60V，漏极电流（ID）= 45A
- 栅源电压（VGS）= 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）< 15 mΩ（典型值：11 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 低栅漏电荷，降低开关损耗
- 100%进行了非钳位感性负载（UIS）测试！
- 100%进行了ΔVds测试！
- DFN 5X6封装
应用领域
-功率开关应用-负载开关