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NCE4080D
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- NCE4080D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE4080D
- 商品编号
- C2686562
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
NCE30NP1812K采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还可用于许多其他应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 80A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ
- 高密度单元设计实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
-脉冲宽度调制(PWM)-负载开关