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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE60P09AS

P沟道,电流:-9A,耐压:-60V

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商品型号
NCE60P09AS
商品编号
C2686557
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.9197nF
反向传输电容(Crss)96.9pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)124.3pF

商品概述

NCE01NP03S采用先进的沟槽技术,具有出色的漏源导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。该器件适用于逆变器等应用。

商品特性

  • VDS = -60V,ID = -9A
  • 在 VGS = -10V 时,RDS(ON) < 35 m Ω
  • 在 VGS = -4.5V 时,RDS(ON) < 50 m Ω
  • 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 出色的封装,散热性能良好

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF