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NCE60P09S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE60P09S

1个P沟道 耐压:60V 电流:9A

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。可用于多种应用。
商品型号
NCE60P09S
商品编号
C2686558
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.202克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))88mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35.1nC@10V
输入电容(Ciss)2.049nF
反向传输电容(Crss)88.7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)112.7pF

数据手册PDF