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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE55P15I

P沟道,电流:-15A,耐压:-55V

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商品型号
NCE55P15I
商品编号
C2686556
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.763克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@10V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC
输入电容(Ciss)1.45nF@20V
反向传输电容(Crss)110pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道

商品概述

NCE3065K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 65A
  • 栅源电压(VGS) = 10V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 7.0毫欧
  • 栅源电压(VGS) = 5V时,漏源导通电阻(RDS(ON)) < 9.5毫欧
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF