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NCE60ND18G
N沟道 耐压:60V 电流:18A
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- 描述
- NCE60ND18G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60ND18G
- 商品编号
- C2686547
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 973pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.8pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE60P16AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压 = -60V，漏极电流 = -16A
- 栅源电压 = -10V时，导通态漏源电阻 < 65 mΩ
- 栅源电压 = -4.5V时，导通态漏源电阻 < 85 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通态漏源电阻
- 雪崩电压和电流特性完整
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 负载开关
- PWM应用