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NCE60ND18G
N沟道 耐压:60V 电流:18A
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- 描述
- NCE60ND18G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60ND18G
- 商品编号
- C2686547
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 973pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE60P16AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通态漏源电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 18A
- RDS(ON) < 35 m Ω(@ VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 40 m Ω(@ VGS = 4.5 V)
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 采用散热良好的优质封装
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源