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NCE60P28AK实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE60P28AK

1个P沟道 耐压:60V 电流:28A

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描述
NCE60P28AK采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品型号
NCE60P28AK
商品编号
C2686552
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.52克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))55mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)80W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)1.6307nF
反向传输电容(Crss)77.3pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道

商品概述

NCE30H14K采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON)),可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = -60V,ID = -28A
  • 在 VGS = -10 V 时,RDS(ON) < 48 mΩ
  • 在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) < 55 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 出色的封装,散热性能良好

应用领域

  • 全桥转换器的高端开关
  • LCD显示器的DC/DC转换器

数据手册PDF