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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE4503S

N通道和P通道增强模式功率MOSFET,电流:10A,耐压:30V

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商品型号
NCE4503S
商品编号
C2686551
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.197克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)1.6nF
反向传输电容(Crss)300pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)350pF

商品概述

NCE4080D采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 80A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ
  • 高密度单元设计实现超低导通电阻Rdson
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装

应用领域

  • 脉冲宽度调制(PWM)-负载开关

数据手册PDF