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NCE4503S
N通道和P通道增强模式功率MOSFET,电流:10A,耐压:30V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE4503S
- 商品编号
- C2686551
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
NCE4080D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 10A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 13.5mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -9.1A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 20mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-负载开关