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NCE60P16AK
P沟道增强型功率MOSFET,电流:-16A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P16AK
- 商品编号
- C2686548
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 73.7pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58.2pF |
商品概述
NCE60P45K采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -45A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 35mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源