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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0208IA

N沟道,电流:8A,耐压:200V

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商品型号
NCE0208IA
商品编号
C2686540
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V
耗散功率(Pd)55W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)540pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

商品概述

NCE30D0808J采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关和PWM应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 7.7A
  • 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 25 mΩ
  • 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 35 mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 通用接口开关-电源管理功能

数据手册PDF