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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE0208IA

N沟道,电流:8A,耐压:200V

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商品型号
NCE0208IA
商品编号
C2686540
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V
耗散功率(Pd)55W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)540pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

商品概述

NCE30D0808J采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关和PWM应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 200V,漏极电流ID = 8A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 300 mΩ(典型值:260 mΩ)
  • 采用高密度单元设计,实现极低的导通电阻Rdson
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性
  • 低栅漏电荷,可降低开关损耗

应用领域

-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF