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NCE12P09S
1个P沟道 耐压:12V 电流:9A
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- 描述
- NCE12P09S采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在不同栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用及其他多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE12P09S
- 商品编号
- C2686544
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
ST3407SRG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合。该产品采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- -30V/-4.0A，漏源导通电阻RDS(ON) = 54 mΩ（典型值）@ 栅源电压VGS = - 10V
- -30V/-3.2A，漏源导通电阻RDS(ON) = 72 mΩ @ 栅源电压VGS = - 4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT-23封装设计
应用领域
-手机和笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路