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NCE30ND35Q实物图
  • NCE30ND35Q商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE30ND35Q

N沟道,电流:35A,耐压:30V

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商品型号
NCE30ND35Q
商品编号
C2686545
商品封装
DFN-8L(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)164.4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

NCE0202M采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 200V,漏极电流ID = 2A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 580 mΩ(典型值:520 mΩ)
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 600 mΩ(典型值:540 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 采用散热性能良好的封装

应用领域

  • 功率开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF