NCE40NP2815G
N沟道和P沟道,电流:28A,耐压:40V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40NP2815G
- 商品编号
- C2686546
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
NCE30ND35Q采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压(VDS) = 40V,漏极电流(ID) = 28A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 18 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 28 mΩ
- P沟道
- 漏源电压(VDS) = -40V,漏极电流(ID) = -15A
- 当栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 35 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通电阻(RDS(ON)) < 45 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
- H桥
- 逆变器