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NCE40NP2815G实物图
  • NCE40NP2815G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE40NP2815G

N沟道和P沟道,电流:28A,耐压:40V

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商品型号
NCE40NP2815G
商品编号
C2686546
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)35W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22.9nC@10V
输入电容(Ciss)964pF@20V
反向传输电容(Crss)96pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

商品概述

NCE30ND35Q采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 35A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 13 mΩ
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 19 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF