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NCE01NP03S实物图
  • NCE01NP03S商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE01NP03S

N沟道和P沟道增强模式功率MOSFET,电流:3A,耐压:100V

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商品型号
NCE01NP03S
商品编号
C2686543
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)760pF
反向传输电容(Crss)170pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)260pF

商品概述

NCE55P15I采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • N沟道
    • VDS = 100V, ID = 3A
  • P沟道
    • VDS = -100V, ID = -3A
    • RDS(ON) < 130 m Ω @ VGS = 10 V
    • RDS(ON) < 200 m Ω @ VGS = -10 V
    • RDS(ON) < 140 m Ω @ VGS = 4.5 V
    • RDS(ON) < 230 m Ω @ VGS = -4.5 V
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • DC-DC转换器

数据手册PDF