NCE1205
N通道和P通道增强模式MOSFET,电流:5A,耐压:12V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE1205
- 商品编号
- C2686530
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE82H140LL采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道
- VDS = 12V,ID = 5A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 32mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 42mΩ
- 当VGS = 1.8V时,RDS(ON) < 80mΩ
- P沟道
- VDS = -12V,ID = -5A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 74mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 110mΩ
- 当VGS = -1.8V时,RDS(ON) < 220mΩ
- 便携式设备的负载开关
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源