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NCE2305A
1个P沟道 耐压:12V 电流:4.1A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE2305A
- 商品编号
- C2686533
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
STC4614是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻，并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- VDS = -12 V, ID = -4.1 A
- RDS(ON) < 60 m Ω(@ VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) < 45 m Ω(@ VGS = -4.5 V)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理