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NCE30D0808J实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE30D0808J

2个N沟道 耐压:30V 电流:7.7A

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描述
NCE30D0808J采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。该器件适用于负载开关和脉宽调制(PWM)应用。
商品型号
NCE30D0808J
商品编号
C2686534
商品封装
DFN-6-EP(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7.7A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)12nC@15V
输入电容(Ciss)558pF@15V
反向传输电容(Crss)62.6pF
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF