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NCE30D0808J
2个N沟道 耐压:30V 电流:7.7A
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- 描述
- NCE30D0808J采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于负载开关和脉宽调制（PWM）应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30D0808J
- 商品编号
- C2686534
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 558pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。深沟槽超结MOSFET提供了一种具有极低开关、通信和传导损耗的器件，其高鲁棒性使谐振开关应用尤其可靠、高效、轻便且散热好。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 7.7A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 25 mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 35 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能