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NCE30NP1812K
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关，以及其他多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30NP1812K
- 商品编号
- C2686535
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.498克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 519.9pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70.4pF |
商品概述
NCE6602N采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- N沟道：
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 3.5A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 58 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 95 mΩ
- P沟道：
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -2.7A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 100 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 150 mΩ
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流