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NCE6602N
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6602N
- 商品编号
- C2686532
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 278pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
NCE3035G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 35A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 7.0 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 负载点（POL）直流-直流（DC/DC）转换器中的高端开关