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STN2610D-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- STN2610D 是一款高品质N沟道MOSFET，封装形式为TO-252-2L，适合于各种空间紧凑的设计需求。该器件具有出色的电气性能，最大漏源电压VDSS达60V，连续漏极电流ID高达50A，展现出强大的电力处理能力。尤其突出的是其低至11mR的导通电阻RD(on)，有助于减少功率损耗并优化能源效率，广泛适用于开关电源转换、电机驱动、LED照明等领域，是您高效能电子设计的理想选择。
- 商品型号
- STN2610D-HXY
- 商品编号
- C22366411
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- -20V、 -600mA，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 500mΩ
- 改善dv/dt能力
- 快速开关
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器
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