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NTMFS4926N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款N型场效应管具有80A的电流承载能力和30V的电压耐受性，内阻典型值为4.7mΩ，适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V，确保了良好的开关控制特性。该产品适用于多种应用，包括但不限于电源管理、负载开关和信号放大等，为电子系统提供稳定可靠的性能支持。
- 商品型号
- NTMFS4926N-HXY
- 商品编号
- C22366424
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRFH7914PBF采用先进的沟槽技术，可提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 80 A
- RDS(ON) < 6 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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