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Si2323DS-T1-GE3-HXY
耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- Si2323DS-T1-GE3 是一款高性能P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，专为现代微小电子设备设计。主要参数包括最大工作电压VDSS为20V，能稳定传输5A的漏极电流；导通电阻RD(on)仅为30mΩ，有效降低能耗，提高系统效能。广泛应用在电源管理、负载开关、电池保护等多个领域，是您追求高集成度与节能效果的理想MOS管选择。
- 商品型号
- Si2323DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366438
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026818克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
DMP2170U采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -5A
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 40mΩ
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 60mΩ
- ESD保护
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT - 23封装
- P沟道MOSFET