温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV30XPEA-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款P型场效应管，具备5A的电流承载能力和20V的电压耐受性。其内阻典型值为30mΩ，确保了较低的功耗。VGS为12V，使得器件能在适当的栅源电压下正常工作。适用于多种高性能电子设备，如电源管理、信号放大及开关电路，提供稳定的性能表现。
- 商品型号
- PMV30XPEA-HXY
- 商品编号
- C22366434
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
Si2333DS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 60mΩ
- ESD等级：人体模型(HBM) 1500V
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
相似推荐
其他推荐
- Si2323CDS-T1-GE3-HXY
- Si2323DDS-T1-GE3-HXY
- Si2323DS-T1-E3-HXY
- Si2323DS-T1-GE3-HXY
- Si2305CDS-T1-GE3-HXY
- DMP1045U-HXY
- Si2329DS-T1-GE3-HXY
- Si2333DS-HXY
- FDD8896-HXY
- IRFR3709ZPBF-HXY
- NTD4858N-HXY
- FDD6670A-HXY
- NTD4860N-HXY
- DMP2160U-HXY
- PMV65XP-HXY
- SM2301SRL-HXY
- DMP2170U-HXY
- KMA3D7P20SA-HXY
- ST2305-HXY
- AO3493-HXY
- DMN3007LSS-HXY