温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
Si2323DDS-T1-GE3-HXY
耐压:20V 电流:5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- Si2323DDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用业界标准SOT-23封装，专为紧凑型电子设计提供卓越性能。该器件特性鲜明具有20V的最大工作电压VDSS，能稳定处理5A的漏极电流；并且，其30mΩ的低导通电阻RD(on)设计大大减少了功率损失，提高了系统整体能效。广泛应用于电源管理、负载开关控制、电池保护等电路设计中，是您寻求高性能、节能方案的理想MOS管元件选择。
- 商品型号
- Si2323DDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366436
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
Si2323DDS-T1-GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用,具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 60mΩ
- ESD保护
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT-23封装
- P沟道MOSFET