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Si2323DS-T1-E3-HXY
耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- Si2323DS-T1-E3 是一款P沟道MOSFET，采用小型化SOT-23封装，专为紧凑电子设计提供高集成度解决方案。该器件特性显著具备20V的最大工作电压VDSS，可安全承载5A的连续漏极电流；其低至30mΩ的导通电阻RD(on)，旨在最大限度地降低功耗，提升系统能效。适用于电源转换、负载开关、电池保护等广泛应用场景，是您追求节能与高性能的理想MOS管器件选择。
- 商品型号
- Si2323DS-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C22366437
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
Si2329DS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -5A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 40mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- ESD等级：1500V HBM
应用领域
- PWM应用-负载开关