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Si2323CDS-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
- 描述
- Si2323CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适合现代微小电子设备设计。该器件规格出色最大工作电压VDSS为20V，能够承载5A的连续漏极电流，确保稳定运行；其导通电阻RD(on)低至30mΩ，旨在最大程度减少能耗，提升系统效率。广泛应用在电源转换、负载开关控制、电池保护等方面，是您实现高集成度与节能目标的理想MOS管解决方案。
- 商品型号
- Si2323CDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366435
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |