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Si2323CDS-T1-GE3-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- Si2323CDS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，采用紧凑型SOT-23封装，特别适合现代微小电子设备设计。该器件规格出色最大工作电压VDSS为20V，能够承载5A的连续漏极电流，确保稳定运行；其导通电阻RD(on)低至30mΩ，旨在最大程度减少能耗，提升系统效率。广泛应用在电源转换、负载开关控制、电池保护等方面，是您实现高集成度与节能目标的理想MOS管解决方案。
- 商品型号
- Si2323CDS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366435
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SIR850DP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 80 A
- RDS(ON) < 6 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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