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NTMFS4821N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 这款N型场效应管拥有80A的电流承载能力，30V的耐压特性，内阻典型值为4.7mΩ，适用于高电流应用。其VGS为20V，确保了良好的开关性能。适用于电源管理、电机驱动等领域，提供稳定的电流控制和高效的能量转换。可靠性和耐用性满足各类严苛要求。
- 商品型号
- NTMFS4821N-HXY
- 商品编号
- C22366430
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
SMC8205AGW是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准和产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 6A
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 27mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 37mΩ
- 双N沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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