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DMP2066LSN-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 这款场效应管采用P型设计，适用于高效能应用。其最大承受电流为5A，额定电压为20V，内阻典型值为30mR，确保了较低的能耗。VGS为12V，使得产品在正常工作条件下能够发挥最佳性能。该元器件具备出色的稳定性和可靠性，适合用于多种高性能电子设备中。
- 商品型号
- DMP2066LSN-HXY
- 商品编号
- C22366432
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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