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DMP2045U-HXY
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 这款P型场效应管拥有5A的电流处理能力和20V的电压承受范围，内阻典型值为30mΩ，适用于高效能应用。其VGS为12V，确保了稳定的控制性能。适合用于要求严苛的电子设备中，能够提升系统的稳定性和效率，是电子设计中的优选方案。
- 商品型号
- DMP2045U-HXY
- 商品编号
- C22366431
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026818克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
SI7386DP-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V
- ID = 80 A
- RDS(ON) < 6 mΩ（VGS = 10 V）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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