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SIR850DP-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- SIR850DP-T1-GE3 是一款采用精巧DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管，针对现代电子设备的小型化及高效能需求设计。该器件提供了强大的电性参数30V的最大漏源电压VDSS，以及高达70A的连续漏极电流ID，保证在高功率条件下的稳定运行。其独特之处在于导通电阻RD(on)低至5.7mΩ，有效降低功率损耗，提高整体系统效率。SIR850DP-T1-GE3 适用于电源转换、电机驱动等高电流应用领域，以出色的性能服务于各类高端电子设计。
- 商品型号
- SIR850DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366428
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
DMN2040LTS是具有极高单元密度的高性能沟槽N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。该产品符合RoHS标准和产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20V，漏极电流（ID） = 6A
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 27mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 37mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- TSSOP-8封装
- 双N沟道MOSFET
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