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SIR850DP-T1-GE3-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- SIR850DP-T1-GE3 是一款采用精巧DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管，针对现代电子设备的小型化及高效能需求设计。该器件提供了强大的电性参数30V的最大漏源电压VDSS，以及高达70A的连续漏极电流ID，保证在高功率条件下的稳定运行。其独特之处在于导通电阻RD(on)低至5.7mΩ，有效降低功率损耗，提高整体系统效率。SIR850DP-T1-GE3 适用于电源转换、电机驱动等高电流应用领域，以出色的性能服务于各类高端电子设计。
- 商品型号
- SIR850DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C22366428
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |