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FDMS7682-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- FDMS7682 是一款采用紧凑DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管，专为现代高效能电子设备设计。该器件具有出色的电气性能，其最大漏源电压VDSS为30V，可实现高达70A的连续漏极电流ID，确保在大电流应用场景下保持稳定工作状态。尤其值得强调的是其卓越的导通电阻RD(on)仅为5.7mΩ，极大程度地降低了系统能耗，提升了工作效率。FDMS7682 适用于电源管理、电机驱动等高功率领域，以其出色的性能表现满足广大用户对于高效、节能半导体元器件的需求。
- 商品型号
- FDMS7682-HXY
- 商品编号
- C22366429
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
DMP2045U采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 60mΩ
- ESD等级：人体模型(HBM) 1500V
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
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